2019年7月16日，我司成功中标西安电子科技大学等离子增强化学气相沉积设备采购招标项目。本项目选用NANO-MASTER设计生产的NPE-4000系统，该系统为紧凑型设计PC控制的独立式下游式PECVD系统，占地面积仅为26”x44”（包含自动LoadLock单元）,不锈钢立柜。本设备有以下主要突出优势：根据客户的具体应用和需求，配置NANO-MASTER设计的中空阴*密度离子源。带淋浴头的平面离子源，具有离子密度高、电子温度低以及腔体占空比低的特点，从而带来高速、超低损伤...

近日，那诺中国在“上海交通大学电子信息与电气工程学院掩模板兆声清洗机采购项目”的竞标中，顺利中标，这无疑是对NANO-MASTER综合实力的又一次肯定！本套设备是NANO-MASTER,INC.开发的独立立柜式单晶圆/掩模版清洗机SWC-4000，可用于清洗晶圆片、光盘、光学元件、陶瓷基底，或其它类似的平底部件。可以达到去除污染物、残留物、或微尘颗粒等。系统的主要功能包含DI水的兆声清洗、多四路的化学试剂清洗，以及带异丙醇的高速甩干等。因此该系统对于单片清洗而言具有优异的基底...

热真空试验箱是在地面上模拟太空环境的环境模拟试验设备。近几年来，热真空试验设备在航天航空业产品的研制和定型中发挥了重要作用。热真空试验箱由于结构复杂，在运行中有时会出现一些异常现象，如果不能及时排除，将延长试验周期，影响产品的研制工作。为此，我们对试验箱的基本工作原理作一些简要阐述，并介绍如何对热真空试验箱的一般故障进行分析判断和排除。断开制冷控制，制冷阀关闭，检查真空计通讯接口有无松动，分子泵转速有无发生变化，经检查都正常，说明真空机组的问题可以排除由于低温降温阶段出现真空...

硅片清洗机正向着小型化、非盒式化及一次完成化（所有清洗与干燥步骤在一个槽内进行）方向发展，以减少工艺过程中带来的沾污，满足深亚微米级器件工艺的要求。这无论对清洗工艺还是对清洗设备都是一个极大的挑战，传统的清洗方法已不能满足要求。臭氧水、兆声波、电解离子水等的应用显示出很好的去除硅片表面颗粒和金属沾污的能力，对硅片表面微观态的影响很小。而且，它们的使用使清洗设备小型化及清洗工艺一次完成化的实现成为可能。硅片清洗机不仅保留了超声波清洗的优点，而且克服了超声波清洗的缺点。兆声无损清...

等离子去胶机是石英腔的微波等离子系统，可以安装到超净间墙上。该系列的微波等离子系统可以用于批处理，也可以作为单片处理，系统为计算机全自动控制的系统。典型工艺包含：大剂量离子注入后的光刻胶去除；干法刻蚀工艺的前处理或后处理；MEMS制造中的牺牲层去除。去胶工艺是微加工实验中一个非常重要的过程。在电子束曝光、紫外曝光等微纳米加工工艺之后，都需要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶去除的是否干净*、对样片是否有损伤等问题将直接影响到后续工艺的顺利完成。德国ALPHAPLAMSA拥有...

一般的热真空试验箱均设有温度均匀度参数：自然对流式的干燥箱为工作温度上限乘3%，强制对流式的干燥箱为工作温度上限乘2.5%。惟独电热真空干燥箱不设温度均匀度参数，这是为什么？真空干燥箱内依靠气体分子运动使工作室温度达到均匀的可能性几乎已经没有了。因此，从概念上我们就不能再把通常电热（鼓风）干燥箱所规定的温度均匀度定义用到真空干燥箱上来。在真空状态下设这个指标也是没有意义的。热辐射的量与距离的平方成反比。同一个物体，距离加热壁20cm处所接受的辐射热只是距离加热壁10cm处的1...

等离子刻蚀机是基于真空中的高频激励而产生的辉光放电将四氟化碳中的氟离子电离出来从而获得化学活性微粒与被刻蚀材料起化学反应产生辉发性物质进行刻蚀的。同时为了保证氟离子的浓度和刻蚀速度必须加入一定比例的氧气生成二氧化碳。在众多半导体工艺中，刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺技术之一。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀采用化学腐蚀进行，是传统的刻蚀工艺。它具有各向同性的缺点，即在刻蚀过程中不但有所需要的纵向刻蚀，也有不需要的横向刻蚀，因而精度差，线宽一般在3um以上。RIE-PE刻蚀机...

硅片清洗机不仅保留了超声波清洗的优点，而且克服了超声波清洗的缺点。兆声无损清洗机的工作原理是利用高能（850kHz）频率效应和化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗。在清洗过程中，换能器发出的高能声波波长为1m，频率为0.8MHZ。在声波的驱动下，溶液的分子运动得更快。瞬时速度可达30cm/s。因此，无法形成超声清洗等气泡。相反，硅片清洗机只能用高速的流体波不断地冲击晶圆片表面，迫使附着在晶圆片表面的微小污染物颗粒被去除并进入清洗溶液中。硅片清洗机特点：高能能有效地去除亚微米粒子...