热真空环境模拟试验设备是一种用于模拟真空环境下物体受热的设备，通常用于航空航天、半导体制造、材料科学和工程等领域。该设备可以通过控制温度、压力和气体组成等参数来模拟各种真空环境下的热应力。该设备主要由真空室、加热系统、冷却系统、真空系统、温度控制系统、数据采集和控制系统等组成。真空室是核心部件之一，其主要功能是提供真空环境下的测试空间，并保证测试空间内的真空度。真空室通常由不锈钢或铝合金制成，并具有较高的抗腐蚀性和耐高温性能。为了保证测试精度，真空室内表面必须经过特殊处理，如...

微波PECVD是一种使用微波等离子体来制备薄膜的方法。在微波过程中，通过微波激励在等离子体气氛中生成活性离子和激发态粒子，这些粒子以高能量撞击到表面，从而促使反应物发生化学反应并形成薄膜。与传统PECVD方法相比，具有许多优点。首先，可以在相对宽广的压力范围内进行薄膜生长。其次，可以在低功率下生长高质量薄膜。更重要的是，可以在低温下生长薄膜，是一种非常适合于材料生长的方法。通过使用微波场使振荡的分子激发成等离子体状态。等离子体状态的气体分子具有活性，可出现分子分解或发生化学反...

PEALD系统是一种化学气相沉积技术，广泛应用于微电子设备制造、太阳能电池和纳米材料研究等领域。以原子层沉积技术为基础，通过在反应室中交替注入两种气体，执行反应和清洗过程，实现对表面沉积物的逐层生长。PEALD系统的组成由四个主要部分构成：反应室、进气系统、真空系统和控制系统。其中反应室是最重要的组成部分，用于承载沉积表面和反应气体。反应室具有良好的密封性能，以确保反应气体能够准确传递到沉积表面。反应室内部的沉积表面是由基板表面形成的，在表面形成的沉积物层上进行PEALD沉积...

掩模板清洗机是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以zui大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。掩模板清洗机应用：1.带图案或不带图案的掩模版和晶圆片2.Ge,GaAs以及InP晶圆片清洗3.CMP处理后的晶圆片...

原子层沉积设备是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。原子层沉积设备的特点1、传输管路的优化设计，有效地避免管路堵塞及交叉污染问题2、工业化级别标...

进口晶圆清洗机采用旋转喷淋技术实现清洗功能，清洗方法是利用所喷液体的溶解作用来溶解硅片表面的污渍，同时利用高速旋转的离心作用，使溶有杂质的液体及时脱离硅片表面。同时由于所喷液体与旋转的硅片有较高的相对速度，会产生较大的冲击力，实现清除吸附杂质。清洗完成后采用惰性气体直接干燥，完成对硅片的清洗。进口晶圆清洗机的应用：1、带图案或不带图案的掩模版和晶圆片2、Ge,GaAs以及InP晶圆片清洗3、CMP处理后的晶圆片清洗4、晶圆框架上的切粒芯片清洗5、等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗...

空间环境模拟试验设备腔体的大致尺寸为：直径24"，长度43"。带有一个16"x32"的滑动加热平，可以冷却到零下100摄氏度。热真空平台也可以加热到150摄氏度，具有高度的均匀度。在去边3cm后整个平台的温度均匀度可达/-1摄氏度。加热平台安装在滚轴上，可以方便拉出至大到75%的长度，腔体提供20个RF连接头，尺寸为2.92mm，可以支持高达40GHz的频率。腔体的两侧分别有一个50针的引线。真空系统包含HiPace1200（1000L/s抽速）涡轮分子泵以及一个ISP500...

RIE刻蚀机是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radiofrequency）时会产生数百微米厚的离子层（ionsheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（ReactiveIonEtching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行最佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用...